一種頂柵薄膜晶體管的制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201110461858.4 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN103762313A 公開（公告）日 2014-04-30
申請(qǐng)公布號(hào) CN103762313A 申請(qǐng)公布日 2014-04-30
分類號(hào) H01L51/40(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 黃宇華;史亮亮;趙淑云 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 廣東中顯科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京瑞恒信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 廣東中顯科技有限公司
地址 528225 廣東省佛山市南海區(qū)獅山工業(yè)園北園中路11號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種頂柵薄膜晶體管的制造方法，包括：1)在襯底表面上形成條狀的凸齒，凸齒之間具有凹槽，凸齒的橫截面為矩形；2)沉積多晶硅薄膜，均勻地覆蓋凸齒的頂部以及凹槽的側(cè)壁和底部；3)對(duì)多晶硅薄膜進(jìn)行離子注入，離子注入的角度使部分多晶硅薄膜被摻雜，同時(shí)使部分多晶硅薄膜未摻雜，其中摻雜的部分形成搭橋晶粒線以及源區(qū)和漏區(qū)；4)在多晶硅薄膜上沉積柵絕緣層；5)在柵絕緣層上形成柵電極，使柵電極覆蓋多晶硅薄膜的凸齒及凸齒之間的凹槽。