半導(dǎo)體器件、射頻芯片和制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811112070.0 申請日 -
公開（公告）號 CN109285815B 公開（公告）日 2020-07-17
申請公布號 CN109285815B 申請公布日 2020-07-17
分類號 H01L23/31;H01L21/56;H01L23/538 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 于濤;陳高鵬;陳威;劉海玲 申請（專利權(quán)）人 宜確半導(dǎo)體（蘇州）有限公司
代理機構(gòu) 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標(biāo)事務(wù)所 代理人 李浩;王莉莉
地址 201600 上海市松江區(qū)九亭鎮(zhèn)九亭中心路1158號21幢1603、1604室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本公開提供了一種半導(dǎo)體器件、射頻芯片和制造方法，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。該半導(dǎo)體器件包括具有第一聲波器件的第一襯底。在第一襯底上設(shè)置有間隔開的第一連接件和第二連接件。該第一連接件和該第二連接件分別與第一聲波器件電連接。該半導(dǎo)體器件還包括具有第二聲波器件的第二襯底。在第二襯底上設(shè)置有間隔開的第三連接件和第四連接件。該第三連接件與該第一連接件對接，該第四連接件與該第二連接件對接。該半導(dǎo)體器件還包括在第一襯底與第二襯底之間的環(huán)狀件。該環(huán)狀件、第一襯底和第二襯底形成有腔體。該腔體位于第一聲波器件和第二聲波器件之間。本公開可以減小器件的面積。