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    • 頓思

    北京頓思集成電路設(shè)計有限責任公司

    存續(xù)
    • 地址：北京市北京經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)科創(chuàng)十四街99號33幢D棟二層2193號(集中辦公區(qū))
    • 簡介：-
    • 商標信息 2
    • 專利信息 13
    • 軟件著作權(quán) 0
    • 作品著作權(quán) 0
    • 網(wǎng)站備案 1

    商標信息2

    序號 商標名稱 國際分類 注冊號 狀態(tài) 申請日期 操作
    1 DS 09類-科學儀器 38670678 商標已注冊 2019-06-04 查看
    2 DUNSEMI 09類-科學儀器 38653011 等待實質(zhì)審查 2019-06-04 查看

    專利信息13

    序號 專利名稱 專利類型 申請?zhí)?/th> 公開（公告）號 公布日期
    1 一種評估射頻功率LDMOS器件散熱特性的方法以及系統(tǒng) 發(fā)明專利 CN201910019893.7 CN109917260B 2021-06-29
    2 一種評估射頻功率LDMOS器件散熱特性的方法以及系統(tǒng) 發(fā)明專利 CN201910019893.7 CN109917260A 2021-06-29
    3 一種LDMOS器件以及制作方法 發(fā)明專利 CN201910313332.8 CN110010473A 2019-07-12
    4 LDMOS器件及其制造方法 發(fā)明專利 CN201910149287.7 CN109920737A 2019-06-21
    5 半導體器件及其制造方法 發(fā)明專利 CN201811613682.8 CN109860300A 2019-06-07
    6 一種LDMOS器件結(jié)構(gòu) 實用新型 CN201821139718.9 CN208861995U 2019-05-14
    7 一種LDMOS器件 實用新型 CN201821139050.8 CN208589450U 2019-03-08
    8 半導體器件寄生電阻獲取方法 發(fā)明專利 CN201810799302.8 CN109143015B 2019-01-04
    9 半導體器件寄生電阻獲取方法 發(fā)明專利 CN201810799302.8 CN109143015A 2019-01-04
    10 一種LDMOS器件結(jié)構(gòu)及其制作方法 發(fā)明專利 CN201810791054.2 CN109119472A 2019-01-01

    軟件著作權(quán)0

    暫無信息 暫無軟件著作權(quán)

    作品著作權(quán)0

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    網(wǎng)站備案1

    序號 網(wǎng)站名 網(wǎng)址 備案號 主辦單位性質(zhì) 審核日期
    1 北京頓思集成電路設(shè)計有限責任公司 www.dunsemi.com 京ICP備18048522號 企業(yè) 2018-09-18
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